UGF30G是一款基于硅技術制造的高壓功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于高電壓和高效率場景中。該器件屬于N溝道增強型MOSFET,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合在電源管理、電機驅(qū)動以及各類工�(yè)應用中使用�
UGF30G采用了先進的封裝設計,能夠有效提高散熱性能并降低寄生電�,從而提升整體系�(tǒng)效率和可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
導通電阻:1.2Ω
柵極-源極電壓:�20V
功耗:25W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
1. 高耐壓能力,可承受高達600V的漏源電�,適用于多種高壓應用場景�
2. 低導通電阻設�,有助于減少功率損耗并提高能效�
3. 快速開關速度,支持高頻工作模式,適合開關電源和DC-DC�(zhuǎn)換器等應��
4. 先進的熱管理設�,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運��
5. 強大的抗靜電能力(ESD保護�,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設�,滿足現(xiàn)代電子行�(yè)的環(huán)保要求�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器電路中的高頻開關�
3. 電機�(qū)動和控制電路�
4. 各類工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
5. 照明系統(tǒng)中的�(zhèn)流器和調(diào)光控制器�
6. 電池充電器和其他需要高效率功率�(zhuǎn)換的應用場景�
IRF840, STP30NF60, FDP18N60