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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > UMD12NTR

UMD12NTR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:53:00 查看 閱讀�12

UMD12NTR是一種高�、高功率的MOSFET晶體�,采用TO-220封裝形式。這種器件通常用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(yīng)用中。該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力,從而在各種電力電子電路中實(shí)�(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和控制�
  UMD12NTR是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,其主要功能是在電路中作為高效的電子開關(guān)或放大元件使�。通過(guò)柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流動(dòng),從而實(shí)�(xiàn)�(duì)�(fù)載的精確控制�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  柵源電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  總功耗:140W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

UMD12NTR具有較高的雪崩能量承受能�,能夠在異常情況下保�(hù)器件免受損壞。它還具備快速開�(guān)速度,可以有效降低開�(guān)損耗,提高整體效率�
  此外,該器件的低�(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,特別是在高電流�(yīng)用場(chǎng)景下表現(xiàn)尤為明顯�
  由于采用了先�(jìn)的制造工藝,該MOSFET具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適合長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行于惡劣的工作環(huán)��

�(yīng)�

UMD12NTR廣泛�(yīng)用于開關(guān)模式電源(SMPS�、直�-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)控制器以及太�(yáng)能逆變器等�(lǐng)��
  在開�(guān)電源�(shè)�(jì)中,該器件可作為主開�(guān)管使�,提供高效的電能�(zhuǎn)�。在電機(jī)�(qū)�(dòng)方面,它可以用來(lái)控制大功率電�(jī)的啟�(dòng)、停止及�(diào)速等功能�
  此外,該MOSFET還可用于�(guò)流保�(hù)電路和負(fù)載切換電路中,確保系�(tǒng)安全可靠地運(yùn)��

替代型號(hào)

IRF840,
  STP12NK65Z,
  FDP18N65C,
  IXTH12N65L

umd12ntr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

umd12ntr資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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umd12ntr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�1 �(gè) NPN�1 �(gè) PNP - �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�47k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)68 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�UMT6
  • 包裝帶卷 (TR)