UMD12NTR是一種高�、高功率的MOSFET晶體�,采用TO-220封裝形式。這種器件通常用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(yīng)用中。該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力,從而在各種電力電子電路中實(shí)�(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和控制�
UMD12NTR是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,其主要功能是在電路中作為高效的電子開關(guān)或放大元件使�。通過(guò)柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流動(dòng),從而實(shí)�(xiàn)�(duì)�(fù)載的精確控制�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
柵源電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
總功耗:140W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
UMD12NTR具有較高的雪崩能量承受能�,能夠在異常情況下保�(hù)器件免受損壞。它還具備快速開�(guān)速度,可以有效降低開�(guān)損耗,提高整體效率�
此外,該器件的低�(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,特別是在高電流�(yīng)用場(chǎng)景下表現(xiàn)尤為明顯�
由于采用了先�(jìn)的制造工藝,該MOSFET具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適合長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行于惡劣的工作環(huán)��
UMD12NTR廣泛�(yīng)用于開關(guān)模式電源(SMPS�、直�-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)控制器以及太�(yáng)能逆變器等�(lǐng)��
在開�(guān)電源�(shè)�(jì)中,該器件可作為主開�(guān)管使�,提供高效的電能�(zhuǎn)�。在電機(jī)�(qū)�(dòng)方面,它可以用來(lái)控制大功率電�(jī)的啟�(dòng)、停止及�(diào)速等功能�
此外,該MOSFET還可用于�(guò)流保�(hù)電路和負(fù)載切換電路中,確保系�(tǒng)安全可靠地運(yùn)��
IRF840,
STP12NK65Z,
FDP18N65C,
IXTH12N65L