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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > UMD2NTR

UMD2NTR 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:15:54 查看 閱讀�32

UMD2NTR 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件通常用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景,例如電源管�、電機驅�、負載切換等。由于其�(yōu)良的電氣性能和可靠�,UMD2NTR 廣泛應用于消費電�、工�(yè)控制以及通信設備��
  這款 MOSFET 采用先進的制造工�,能夠在高頻條件下提供較低的功耗和較高的效��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�35A
  柵極閾值電壓:2.1V
  導通電阻:4.5mΩ
  總功耗:150W
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝形式:TO-220

特�

UMD2NTR 的主要特性包括:
  1. 高電流承載能力:可支持高� 35A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應用�
  2. 極低導通電阻:僅為 4.5mΩ,有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開關性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,適合高頻操��
  4. 耐熱增強封裝:采� TO-220 封裝,具有良好的散熱性能�
  5. 寬工作溫度范圍:能夠適應極端�(huán)境條�,從 -55� � +150� 均能�(wěn)定運��
  6. 可靠性高:經過嚴格的質量測試,確保在各種應用中的長期�(wěn)定性�

應用

UMD2NTR 可廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS):作為主開關或同步整流器使用�
  2. 電機驅動:用于控制直流無刷電機或其他類型的電動機�
  3. 負載切換:實�(xiàn)對不同負載的快速開啟和關閉�
  4. 電池保護電路:防止過充、過放及短路等情況發(fā)��
  5. 工業(yè)自動化設備:如變頻器、逆變器等電力電子裝置�
  6. 通信設備:為基站和其他電信基礎設施提供高效的電源管理方案�

替代型號

IRFZ44N, FDP5500

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umd2ntr參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�1 � NPN�1 � PNP - 預偏壓式(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�22k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)56 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉換250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�UMT6
  • 包裝帶卷 (TR)