UMH2NTN 是一款雙通道 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和音頻功率放大器等場(chǎng)景。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)�
這款 MOSFET 采用 TO-252 封裝,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠顯著減少安裝空間并提高散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
總功耗:1.3W
工作溫度范圍�-55� to +150�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型值下� 70mΩ,可降低功率損��
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,具備較短的�(kāi)啟與�(guān)斷延遲時(shí)��
3. 高擊穿電壓設(shè)�(jì)�60V�,確保在高電壓環(huán)境下�(yùn)行穩(wěn)��
4. 小型� TO-252 封裝,適用于緊湊型電路設(shè)�(jì)�
5. 支持高頻率操作,適配多種高效能應(yīng)用需��
6. 具備良好的熱�(wěn)定�,在高溫條件下仍能保持可靠性能�
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器的功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
4. 音頻功率放大器中的輸出級(jí)�(kāi)�(guān)�
5. 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�(shè)�(jì)�
IRLML6402
FDP5570
AO3400