UMH2NTN 是一款雙通道 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和音頻功率放大器等場(chǎng)景。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)速度,能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)。
這款 MOSFET 采用 TO-252 封裝,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠顯著減少安裝空間并提高散熱性能。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:4.8A
導(dǎo)通電阻:70mΩ
總功耗:1.3W
工作溫度范圍:-55℃ to +150℃
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型值下為 70mΩ,可降低功率損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)特性,具備較短的開(kāi)啟與關(guān)斷延遲時(shí)間。
3. 高擊穿電壓設(shè)計(jì)(60V),確保在高電壓環(huán)境下運(yùn)行穩(wěn)定。
4. 小型化 TO-252 封裝,適用于緊湊型電路設(shè)計(jì)。
5. 支持高頻率操作,適配多種高效能應(yīng)用需求。
6. 具備良好的熱穩(wěn)定性,在高溫條件下仍能保持可靠性能。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
2. 直流/直流轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
3. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)電路。
4. 音頻功率放大器中的輸出級(jí)開(kāi)關(guān)。
5. 各種負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
IRLML6402
FDP5570
AO3400