UMH3NTN 是一款基于 MOSFET 技術(shù)的低電壓 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式通常為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技術(shù) (SMT) 使用。
該型號(hào)在設(shè)計(jì)上注重降低功耗并提高系統(tǒng)效率,特別適合于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)域的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds:30V
最大柵源電壓Vgs:±20V
連續(xù)漏極電流Id:14A
導(dǎo)通電阻Rds(on):1.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
柵極電荷Qg:17nC
總電容Ciss:1290pF
開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=11ns,toff=16ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效率的能量轉(zhuǎn)換,并減少了發(fā)熱問(wèn)題。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能使得該器件能夠在高頻條件下保持較低的損耗。
3. 具備出色的熱穩(wěn)定性,使其能夠適應(yīng)更廣泛的溫度變化環(huán)境。
4. 封裝形式緊湊,易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中。
5. 提供穩(wěn)健的電氣保護(hù)功能,例如防止靜電放電(ESD)的能力較強(qiáng)。
1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流和主開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)關(guān)元件。
3. 各類負(fù)載開(kāi)關(guān),用于動(dòng)態(tài)管理電路中的電流流向。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)控制。
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)與切換功能實(shí)現(xiàn)。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)調(diào)節(jié)與功率傳輸組件。
IRLZ44N, FDP5580, AO3400