UMH3NTN 是一款基� MOSFET 技�(shù)的低電壓 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式通常� TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技�(shù) (SMT) 使用�
該型�(hào)在設(shè)�(jì)上注重降低功耗并提高系統(tǒng)效率,特別適合于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)域的�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�30V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�14A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.8mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷Qg�17nC
總電容Ciss�1290pF
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=11ns,toff=16ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效率的能量�(zhuǎn)�,并減少了發(fā)熱問(wèn)題�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能使得該器件能夠在高頻條件下保持較低的損��
3. 具備出色的熱�(wěn)定�,使其能夠適�(yīng)更廣泛的溫度變化�(huán)��
4. 封裝形式緊湊,易于集成到�(xiàn)代電子設(shè)備中�
5. 提供�(wěn)健的電氣保護(hù)功能,例如防止靜電放電(ESD)的能力較強(qiáng)�
1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流和主�(kāi)�(guān)�(yīng)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)�(guān)元件�
3. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān),用于動(dòng)�(tài)管理電路中的電流流向�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)與切換功能實(shí)�(xiàn)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)與功率傳輸組件�
IRLZ44N, FDP5580, AO3400