UMH9N TN 是一� N 溝道增強型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET�。該器件通常用于開關(guān)和功率管理應用中,能夠提供高效的電力�(zhuǎn)換和控制。其小型化的封裝�(shè)計使其非常適合于空間受限的電路板布局�
這種 MOSFET 的主要特點是低導通電阻和快速開�(guān)性能,有助于減少功耗并提高整體系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻:1.8mΩ
總功耗:54W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
UMH9N TN 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),在典型條件下可低至 1.8mΩ,從而顯著降低傳導損耗�
2. 快速開�(guān)能力,具有較短的開啟和關(guān)閉延遲時間,適合高頻應用�
3. 高雪崩能量承受能�,增強了器件在異常情況下的可靠��
4. 小型 DPAK 或類似的封裝形式,便于表面貼裝技�(shù) (SMT) 生產(chǎn),并節(jié)� PCB 空間�
5. 支持高電流操�,適用于需要較大負載電流的場景�
6. 廣泛的工作溫度范�,從 -55� � +175℃,適應惡劣�(huán)境下的運行需��
該芯片廣泛應用于各種電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器或主開關(guān)��
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)的核心元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 電池保護電路,用作負載開�(guān)�
5. LED 照明�(qū)動器中的功率開關(guān)�
6. 電信和數(shù)�(jù)通信�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
UMH9N、IRFZ44N、STP90NF06L