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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > UMH9NTN

UMH9NTN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 10:55:16 查看 閱讀�13

UMH9NTN是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件通常用于�(kāi)�(guān)和功率放大等�(yīng)用中,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�。其封裝形式為TO-252(DPAK�,適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及電源管理領(lǐng)��
  該MOSFET的主要特�(diǎn)是其�(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通損�,適用于直流電機(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:115W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. N溝道增強(qiáng)型MOSFET�(shè)�(jì),提供高效的�(kāi)�(guān)性能�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低傳�(dǎo)損��
  3. 高電流處理能力,支持高達(dá)16A的持�(xù)漏極電流�
  4. 小型化TO-252(DPAK)封�,便于表面貼裝和高密度電路設(shè)�(jì)�
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 快速開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

UMH9NTN常用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)。開(kāi)�(guān),在各種便攜式設(shè)備中�(shí)�(xiàn)快速啟停功能�
  4. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng),用于控制電�(jī)方向與速度�
  5. �(guò)流保�(hù)電路,作為關(guān)鍵的電子保險(xiǎn)絲組件�
  6. 各類工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)與信�(hào)傳輸�(huán)節(jié)�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP151N
  AO3400

umh9ntn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

umh9ntn資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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umh9ntn參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 �(gè) NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)68 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 250µA�5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�UMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱UMH9NTNTR