URAM2MN1 是一款高性能的靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)芯�,廣泛應(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)讀寫和低功耗的�(chǎng)�。該芯片具有高可靠�、快速訪�(wèn)�(shí)間和�(wěn)定的性能表現(xiàn)。其�(shè)�(jì)適用于工�(yè)控制、通信�(shè)�、網(wǎng)�(luò)路由器以及嵌入式系統(tǒng)等對(duì)�(shí)�(shí)性和�(wěn)定性要求較高的�(yīng)用領(lǐng)��
URAM2MN1 的封裝形式通常� BGA � TQFP,具體取決于制造商和型�(hào)變體。該芯片具備多級(jí)電源管理功能,能夠在不同的工作模式下�(yōu)化功耗�
容量�2M x 8 bits
工作電壓�1.7V - 3.6V
訪問(wèn)�(shí)間:5ns / 10ns
接口類型:同� SRAM
封裝形式:BGA-144 / TQFP-100
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:�(wú)�
輸入輸出配置:三�(tài)輸出
功耗:待機(jī) < 1μW
1. 高速訪�(wèn)�(shí)間:支持高達(dá) 5ns 的快速訪�(wèn),適用于�(shí)�(shí)性要求高的系�(tǒng)�
2. 多種供電模式:內(nèi)置多種功耗管理模式,可動(dòng)�(tài)�(diào)整以適應(yīng)不同使用�(chǎng)��
3. 寬工作電壓范圍:兼容 1.7V � 3.6V 的工作電壓,增強(qiáng)了靈活��
4. �(shù)�(jù)完整性保�(hù):采用先�(jìn)的工藝技�(shù),確保在極端�(huán)境下�(shù)�(jù)的可靠��
5. 低功耗設(shè)�(jì):待�(jī)功耗小� 1μW,適合電池供電設(shè)��
6. �(wěn)定的工作溫度范圍:支持工�(yè)�(jí)溫度范圍�-40°C � +85°C�,可在惡劣環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)��
7. 易用性強(qiáng):提供簡(jiǎn)單易用的接口,便于與各種處理器或控制器集��
1. 工業(yè)自動(dòng)化控制:用于工業(yè) PLC � HMI �(shè)備中的緩存和臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
2. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器以及其他通信�(shè)備中作為高速緩��
3. 嵌入式系�(tǒng):為嵌入式微控制器提供額外的高速存�(chǔ)空間�
4. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀和超聲波�(shè)備中,用于圖像處理和�(shù)�(jù)暫存�
5. 汽車電子:在汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)� ADAS 中充�(dāng)�(guān)鍵任�(wù)的緩存模��
6. �(cè)試測(cè)�?jī)x器:例如示波器和信號(hào)分析儀�,用于捕捉和存儲(chǔ)瞬時(shí)信號(hào)�(shù)�(jù)�
IS61LV25616ALL, AS6C256N-55BCN, CY7C1041DV33