US1MWG_R1_00001 是一款高性能� MOSFET 功率開關(guān)器件,適用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,能夠提供卓越的電氣性能和可靠�。其�(shè)�(jì)旨在滿足工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子�(lǐng)�?qū)β使芾砣找嬖鲩L的需��
這款器件具有出色的熱性能和耐壓能力,能夠在寬廣的工作條件下保持�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它還具備優(yōu)異的抗電磁干擾能�,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下依然能夠正常工作�
型號:US1MWG_R1_00001
類型:MOSFET
封裝:TO-263
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
功�(PD)�180W
工作溫度范圍(Ta)�-55� � +175�
�(jié)�(Tj)�-55� � +175�
US1MWG_R1_00001 提供了多種關(guān)鍵特�,使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作環(huán)�,減少磁性元件體積�
3. 耐熱增強(qiáng)型封�,有助于改善散熱性能�
4. �(nèi)置靜電防�(hù)(ESD),提高了器件在實(shí)際應(yīng)用中的魯棒��
5. 寬泛的工作電壓范�,適合不同類型的�(fù)載需求�
6. 高電流承載能�,可以承受瞬�(tài)浪涌電流沖擊�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于通過�(rèn)證測試�
US1MWG_R1_00001 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)動和控制電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
4. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻��
5. LED 照明�(qū)動電��
6. 電池保護(hù)和充電管理系�(tǒng)�
7. 通信�(shè)備中的電源模��
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L