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US1MWG_R1_00001 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 13:55:41 查看 閱讀�20

US1MWG_R1_00001 是一款高性能� MOSFET 功率開關(guān)器件,適用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,能夠提供卓越的電氣性能和可靠�。其�(shè)�(jì)旨在滿足工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子�(lǐng)�?qū)β使芾砣找嬖鲩L的需��
  這款器件具有出色的熱性能和耐壓能力,能夠在寬廣的工作條件下保持�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它還具備優(yōu)異的抗電磁干擾能�,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下依然能夠正常工作�

參數(shù)

型號:US1MWG_R1_00001
  類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  功�(PD)�180W
  工作溫度范圍(Ta)�-55� � +175�
  �(jié)�(Tj)�-55� � +175�

特�

US1MWG_R1_00001 提供了多種關(guān)鍵特�,使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作環(huán)�,減少磁性元件體積�
  3. 耐熱增強(qiáng)型封�,有助于改善散熱性能�
  4. �(nèi)置靜電防�(hù)(ESD),提高了器件在實(shí)際應(yīng)用中的魯棒��
  5. 寬泛的工作電壓范�,適合不同類型的�(fù)載需求�
  6. 高電流承載能�,可以承受瞬�(tài)浪涌電流沖擊�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于通過�(rèn)證測試�

�(yīng)�

US1MWG_R1_00001 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)動和控制電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
  4. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻��
  5. LED 照明�(qū)動電��
  6. 電池保護(hù)和充電管理系�(tǒng)�
  7. 通信�(shè)備中的電源模��

替代型號

IRFZ44N
  FDP5500
  STP55NF06L

us1mwg_r1_00001推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)