US3075HG是一種高壓、高頻的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠�。此外,US3075HG還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能�,使其能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境中保持�(wěn)定的性能�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:750V
最大連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2Ω
柵極電荷�35nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)� 65ns,關(guān)斷時(shí)� 85ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
US3075HG的核心優(yōu)�(shì)在于其高耐壓能力和低�(dǎo)通損��
1. 高耐壓:其750V的漏源電壓設(shè)�(jì)可滿足多種高壓應(yīng)用需�,例如工�(yè)�(shè)備中的開�(guān)電源和大功率LED�(qū)�(dòng)�
2. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷和短開關(guān)�(shí)間有助于降低開關(guān)損�,從而提升系�(tǒng)效率�
3. 熱穩(wěn)定性:該器件在高溫�(huán)境下依然能維持較低的�(dǎo)通電�,確保長期使用的可靠��
4. 小型化封裝:通常使用行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的TO-220或DPAK封裝,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
5. 抗干擾能力強(qiáng):內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以減少寄生參數(shù),提供更佳的電磁兼容性表�(xiàn)�
�(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 大功率LED照明�(qū)�(dòng)電路
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)�
6. 逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
7. 充電器和適配器模�
這款器件憑借其出色的電氣特性和可靠�,在各類高電壓和高頻率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
IRF840, STP12NM75, FDP18N75