UT6164C64AQ-5是一款高密度靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM�,廣泛應用于需要快速數據訪問和低功耗的電子設備�。該芯片采用先進的CMOS工藝制�,提供大容量的數據存儲和高效的讀寫性能�
這款SRAM具有64K x 16的存儲結�,總共可存儲1M字節(jié)的數據。其設計特別適合于需要高速緩存或臨時數據存儲的應用場�,例如網絡通信設備、工�(yè)控制、消費類電子產品��
存儲容量�1048576字節(jié)
數據寬度�16�
工作電壓�3.3V ± 0.3V
訪問時間�5ns
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝類型:TQFP-100
引腳間距�0.5mm
數據保持時間:無限(在電源供電情況下�
功耗:待機模式下典型值為20mW
UT6164C64AQ-5具備以下主要特性:
1. 高速訪問能力:支持高達5ns的快速訪問時�,確保實時數據處��
2. �(wěn)定性:即使在極端溫度條件下,也能保持良好的數據一致性和可靠��
3. 低功耗設計:�(yōu)化的電路結構使其在待機模式下的功耗極低,非常適合電池供電設備�
4. 易用性:簡單直觀的接口設計使得與微處理器和其他外圍設備的集成變得輕松�
5. 數據完整性:內置的刷新機制確保數據在長時間存儲過程中不會丟失�
UT6164C64AQ-5適用于多種應用場�,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的數據緩沖和臨時存��
2. 網絡路由器和交換機中的數據包緩存�
3. �(yī)療設備中的高速數據采集與處理�
4. 消費類電子產品如打印機、掃描儀等中的圖像數據存��
5. 嵌入式系�(tǒng)中的程序代碼和關鍵數據的臨時存儲�
CY62167EV30SI, IS61LV25616BLL-10TLI