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UVZ1V102MHD 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:55:20 查看 閱讀�28

UVZ1V102MHD 是一款基于超�(jié) (Super-Junction) 技�(shù)� MOSFET 器件,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和極佳的開�(guān)性能,能夠有效降低功耗并提升效率。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)�(huán)境�
  UVZ1V102MHD 的典型應(yīng)用場景包括開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高效能和高頻率操作的電子設(shè)備中�

參數(shù)

型號:UVZ1V102MHD
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�650 V
  最大柵源電�(Vgs):�20 V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10.8 A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�145 mΩ
  總柵極電�(Qg)�37 nC
  輸入電容(Ciss)�1800 pF
  輸出電容(Coss)�95 pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�75 ns
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

UVZ1V102MHD 具備以下顯著特性:
  1. 采用先�(jìn)的超�(jié)技�(shù),提供更低的 Rds(on),從而減少導(dǎo)通損耗�
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻電力�(zhuǎn)換應(yīng)��
  3. 極低的柵極電荷和輸出電容,有助于降低開關(guān)損��
  4. 提供�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
  6. 封裝�(shè)�(jì)緊湊,便于在小型化設(shè)備中使用�
  7. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)不同氣候條件下的應(yīng)用需求�
  總體而言,UVZ1V102MHD 在性能和可靠性方面表�(xiàn)出色,是許多高效能電力電子系�(tǒng)的理想選��

�(yīng)�

UVZ1V102MHD 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 功率因數(shù)校正(PFC)電�
  4. 電機(jī)�(qū)動和控制
  5. 太陽能逆變�
  6. LED 照明�(qū)動電�
  7. 電池充電�
  由于其高性能和可靠�,UVZ1V102MHD 成為這些�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效能源管理的核心元件之一�

替代型號

UVZ1V102MH, IRFZ44N, FDP17N65

uvz1v102mhd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

uvz1v102mhd資料 更多>

  • 型號
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uvz1v102mhd參數(shù)

  • 制造商Nichicon
  • �(chǎn)品種�鋁質(zhì)電解電容� - 帶引�
  • 電容1000 uF
  • 容差20 %
  • 電壓額定�35 Volts
  • 工作溫度范圍- 55 C to + 105 C
  • 端接類型Radial
  • 尺寸12.5 mm Dia. x 20 mm L
  • �(chǎn)�General Purpose Electrolytic Capacitors
  • 封裝Bulk
  • 損耗因�(shù) DF0.14
  • 引線間隔5 mm
  • 漏泄電流1050 uAmps
  • 加載壽命1000 hr
  • 紋波電流810 mAmps
  • 系列VZ
  • 工廠包裝�(shù)�100