UVZ1V102MHD 是一款基于超�(jié) (Super-Junction) 技�(shù)� MOSFET 器件,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和極佳的開�(guān)性能,能夠有效降低功耗并提升效率。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)�(huán)境�
UVZ1V102MHD 的典型應(yīng)用場景包括開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高效能和高頻率操作的電子設(shè)備中�
型號:UVZ1V102MHD
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650 V
最大柵源電�(Vgs):�20 V
連續(xù)漏極電流(Id)�10.8 A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�145 mΩ
總柵極電�(Qg)�37 nC
輸入電容(Ciss)�1800 pF
輸出電容(Coss)�95 pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�75 ns
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
UVZ1V102MHD 具備以下顯著特性:
1. 采用先�(jìn)的超�(jié)技�(shù),提供更低的 Rds(on),從而減少導(dǎo)通損耗�
2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻電力�(zhuǎn)換應(yīng)��
3. 極低的柵極電荷和輸出電容,有助于降低開關(guān)損��
4. 提供�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
6. 封裝�(shè)�(jì)緊湊,便于在小型化設(shè)備中使用�
7. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)不同氣候條件下的應(yīng)用需求�
總體而言,UVZ1V102MHD 在性能和可靠性方面表�(xiàn)出色,是許多高效能電力電子系�(tǒng)的理想選��
UVZ1V102MHD 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 功率因數(shù)校正(PFC)電�
4. 電機(jī)�(qū)動和控制
5. 太陽能逆變�
6. LED 照明�(qū)動電�
7. 電池充電�
由于其高性能和可靠�,UVZ1V102MHD 成為這些�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效能源管理的核心元件之一�
UVZ1V102MH, IRFZ44N, FDP17N65