UWTH1D12QB-50WR3S 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率晶體管,專(zhuān)為高頻和高功率密度應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用 DFN 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少熱損耗。它適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無(wú)線(xiàn)充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電信電源等多種應(yīng)用場(chǎng)景。
由于其出色的性能表現(xiàn),這款晶體管適合要求高效率、高頻率操作以及緊湊型設(shè)計(jì)的應(yīng)用環(huán)境。
型號(hào):UWTH1D12QB-50WR3S
封裝形式:DFN
最大漏源電壓(Vds):650V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):40mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
開(kāi)關(guān)頻率范圍:高達(dá) 5MHz
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
存儲(chǔ)溫度范圍:-65°C 至 +150°C
UWTH1D12QB-50WR3S 的主要特性包括:
1. 基于先進(jìn)的氮化鎵技術(shù),提供卓越的高頻性能和低開(kāi)關(guān)損耗。
2. 極低的導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載條件下也能維持較高的效率。
3. 高擊穿電壓(650V)使其適合高壓場(chǎng)景,例如電動(dòng)車(chē)充電器和工業(yè)設(shè)備。
4. 快速開(kāi)關(guān)速度減少死區(qū)時(shí)間,從而降低電磁干擾(EMI)。
5. 緊湊的 DFN 封裝設(shè)計(jì)有助于簡(jiǎn)化 PCB 布局,并節(jié)省空間。
6. 廣泛的工作溫度范圍適應(yīng)惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行需求。
該晶體管適用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 高效逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
3. 快速充電適配器與無(wú)線(xiàn)充電設(shè)備。
4. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電源管理模塊。
5. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供電單元(Power Supply Unit, PSU)。
6. 新能源汽車(chē)充電樁的核心功率轉(zhuǎn)換電路。
7. 智能家居產(chǎn)品中需要高效功率處理的部分。
UWTH1D10QH-50WR3S, UWTH1D15QA-50WR3S