V100ZA3P是一種高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少能��
這款器件適合在高電流和高頻應(yīng)用場(chǎng)合下使用,其�(jiān)固的�(shè)�(jì)確保了在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
總功耗:180W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)用需求�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高了器件的抗靜電能力�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和安��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. 其他需要高效功率處理的�(yīng)用領(lǐng)��
V100ZA3Q, V100ZA4P