V120J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片,適用于高效率、高頻率的開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能。
這款器件通常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器、電機(jī)控制以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域,能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率并降低功耗。
型號(hào):V120J0402C0G500NBT
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
封裝形式:TO-263 (DPAK)
額定電壓:120V
額定電流:50A
導(dǎo)通電阻:2mΩ(典型值)
柵極電荷:70nC(最大值)
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
漏源擊穿電壓:120V(最小值)
連續(xù)漏極電流:50A(@25℃)
峰值脈沖漏極電流:100A
總功耗:20W(@Tc=25℃)
V120J0402C0G500NBT具備以下突出特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為2mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用,其柵極電荷小,可降低開(kāi)關(guān)損耗。
3. 采用溝槽工藝制造,提供卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性。
4. 支持寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)極端環(huán)境下的使用需求。
5. 具備出色的雪崩耐量,增強(qiáng)在異常條件下的魯棒性。
6. 封裝形式為T(mén)O-263,易于安裝且散熱性能優(yōu)異。
V120J0402C0G500NBT廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 電動(dòng)工具及家電中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
4. 新能源汽車(chē)電子系統(tǒng)中的逆變器和電池管理系統(tǒng)。
5. 各類(lèi)高效節(jié)能型功率變換模塊設(shè)計(jì)。
V120J0402C0G500NBH,V120J0402C0G500NBL