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V120J0402C0G500NBT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 13:58:32 查看 閱讀:12

V120J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片,適用于高效率、高頻率的開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能。
  這款器件通常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器、電機(jī)控制以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域,能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率并降低功耗。

參數(shù)

型號(hào):V120J0402C0G500NBT
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  封裝形式:TO-263 (DPAK)
  額定電壓:120V
  額定電流:50A
  導(dǎo)通電阻:2mΩ(典型值)
  柵極電荷:70nC(最大值)
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  漏源擊穿電壓:120V(最小值)
  連續(xù)漏極電流:50A(@25℃)
  峰值脈沖漏極電流:100A
  總功耗:20W(@Tc=25℃)

特性

V120J0402C0G500NBT具備以下突出特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為2mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用,其柵極電荷小,可降低開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 采用溝槽工藝制造,提供卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性。
  4. 支持寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)極端環(huán)境下的使用需求。
  5. 具備出色的雪崩耐量,增強(qiáng)在異常條件下的魯棒性。
  6. 封裝形式為T(mén)O-263,易于安裝且散熱性能優(yōu)異。

應(yīng)用

V120J0402C0G500NBT廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 電動(dòng)工具及家電中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
  4. 新能源汽車(chē)電子系統(tǒng)中的逆變器和電池管理系統(tǒng)。
  5. 各類(lèi)高效節(jié)能型功率變換模塊設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

V120J0402C0G500NBH,V120J0402C0G500NBL

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