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V221J0402C0G500NBT 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 18:47:40 查看 閱讀�10

V221J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET器件,屬于N溝道增強型MOSFET。該元器件廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動等場景,具有低導通電阻和高效率的特點。它能夠在高頻工作條件下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn),同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

型號:V221J0402C0G500NBT
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  導通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  總柵極電�(Qg)�70nC
  開關頻率:高�1MHz
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

V221J0402C0G500NBT具有非常低的導通電阻Rds(on),能夠有效減少功率損耗并提高整體效率�
  其優(yōu)化的柵極電荷設計使得開關速度更快,適合高頻應用場合�
  該器件采用了先進的制造工�,具備出色的熱性能,確保在高負載情況下仍能保持�(wěn)定運��
  此外,其堅固的設計和寬泛的工作溫度范圍使其適用于各種嚴苛�(huán)境下的工�(yè)及汽車應��

應用

V221J0402C0G500NBT主要應用于高效能功率轉換系統(tǒng)�,包括但不限于以下領域:
  - 開關模式電源(SMPS)
  - DC-DC轉換�
  - 電動工具及家用電器中的電機驅�
  - 新能源汽車的逆變器模�
  - 工業(yè)自動化設備中的功率控制單�
  憑借其卓越的性能,這款MOSFET能夠滿足不同應用場景對功率和效率的需��

替代型號

V221J0402C0G500NAT, V221J0402C0G500NCT

v221j0402c0g500nbt推薦供應� 更多>

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