V221J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET器件,屬于N溝道增強型MOSFET。該元器件廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動等場景,具有低導通電阻和高效率的特點。它能夠在高頻工作條件下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn),同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠��
型號:V221J0402C0G500NBT
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�30A
導通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總柵極電�(Qg)�70nC
開關頻率:高�1MHz
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55℃至+175�
V221J0402C0G500NBT具有非常低的導通電阻Rds(on),能夠有效減少功率損耗并提高整體效率�
其優(yōu)化的柵極電荷設計使得開關速度更快,適合高頻應用場合�
該器件采用了先進的制造工�,具備出色的熱性能,確保在高負載情況下仍能保持�(wěn)定運��
此外,其堅固的設計和寬泛的工作溫度范圍使其適用于各種嚴苛�(huán)境下的工�(yè)及汽車應��
V221J0402C0G500NBT主要應用于高效能功率轉換系統(tǒng)�,包括但不限于以下領域:
- 開關模式電源(SMPS)
- DC-DC轉換�
- 電動工具及家用電器中的電機驅�
- 新能源汽車的逆變器模�
- 工業(yè)自動化設備中的功率控制單�
憑借其卓越的性能,這款MOSFET能夠滿足不同應用場景對功率和效率的需��
V221J0402C0G500NAT, V221J0402C0G500NCT