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V2R0A0402HQC500NBT 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 13:51:39 查看 閱讀:12

V2R0A0402HQC500NBT 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的高壓 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于 SiHFxx 系列。該系列器件專為高頻開關應用而設計,廣泛應用于電源管理、DC-DC 轉換器、LED 驅動器以及工業(yè)控制等領域。
  該器件采用 N 溝道技術,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,使其在效率和性能上表現(xiàn)出色。同時,其封裝形式為 PowerPAK? 1212-8,具有出色的散熱特性和高功率密度。

參數(shù)

型號:V2R0A0402HQC500NBT
  類型:N溝道MOSFET
  漏源極電壓(Vds):400V
  連續(xù)漏極電流(Id):2.3A
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):4V
  導通電阻(Rds(on)):6.5Ω (最大值,在 Vgs=10V 時)
  功耗(Ptot):3.1W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:PowerPAK? 1212-8

特性

V2R0A0402HQC500NBT 的主要特性包括:
  1. 極高的耐壓能力,支持高達 400V 的漏源極電壓,適合高壓環(huán)境下的應用。
  2. 較低的導通電阻 (6.5Ω),能夠減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關能力,具備短開關時間和低柵極電荷,適用于高頻電路。
  4. 工作溫度范圍廣 (-55°C 至 +175°C),能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。
  5. 小型化封裝 PowerPAK? 1212-8,提供良好的熱性能和電氣連接性。
  6. 具有增強的 ESD 保護功能,提升了器件的可靠性。

應用

V2R0A0402HQC500NBT 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中作為開關元件。
  2. LED 驅動器中的功率調(diào)節(jié)和負載控制。
  3. 電機驅動和逆變器電路中的功率級組件。
  4. 工業(yè)自動化設備中的信號切換與負載控制。
  5. 高頻諧振轉換器和其他需要高效能開關的應用場景。

替代型號

V2R0A0402HQD500NBT, V2R0A0402HQC500NB

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