您好，歡迎來到維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)
登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
時(shí)間：2025/4/28 13:34:04
閱讀：34
V3R6B0402HQC500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，從而實(shí)現(xiàn)了高效的電力轉(zhuǎn)換和較低的功耗。
該芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，其設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿足工業(yè)級(jí)和消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)Ω咝堋⑿⌒突涂煽啃缘男枨蟆?/p>
最大漏源電壓：40V
連續(xù)漏極電流：28A
導(dǎo)通電阻（典型值）：2.9mΩ
柵極電荷：107nC
輸入電容：2140pF
總電容：3550pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247-3
V3R6B0402HQC500NBT 的主要特點(diǎn)是具備非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和柵極電荷 (Qg)，這使得它在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，該器件還支持較高的持續(xù)電流能力，適用于大功率場(chǎng)景。
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
2. 快速開關(guān)性能，適合高頻電路設(shè)計(jì)。
3. 高耐熱性能，能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 小尺寸封裝，便于緊湊型設(shè)計(jì)。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無鉛。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于多種電力電子系統(tǒng)中，例如：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器。
4. 工業(yè)逆變器和變頻器。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)。
6. 太陽能微逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備。
V3R6B0402HQC500NBT 的卓越性能使其成為這些領(lǐng)域中的理想選擇。
V3R6B0402HQC500NBW, IRFZ44N, FDP55N06L
