V3R6B0402HQC500NBT 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,從而實(shí)�(xiàn)了高效的電力�(zhuǎn)換和較低的功耗�
該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足工�(yè)�(jí)和消�(fèi)電子�(lǐng)�?qū)Ω咝堋⑿⌒突涂煽啃缘男枨蟆?/p>
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.9mΩ
柵極電荷�107nC
輸入電容�2140pF
總電容:3550pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
V3R6B0402HQC500NBT 的主要特�(diǎn)是具備非常低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),這使得它在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此�,該器件還支持較高的持續(xù)電流能力,適用于大功率場(chǎng)��
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻電路設(shè)�(jì)�
3. 高耐熱性能,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)��
4. 小尺寸封�,便于緊湊型�(shè)�(jì)�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種電力電子系統(tǒng)�,例如:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制器�
4. 工業(yè)逆變器和變頻��
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
6. 太陽能微逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備�
V3R6B0402HQC500NBT 的卓越性能使其成為這些�(lǐng)域中的理想選��
V3R6B0402HQC500NBW, IRFZ44N, FDP55N06L