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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > V8R0D0402C0G500NBT

V8R0D0402C0G500NBT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 10:50:13 查看 閱讀�17

V8R0D0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能��
  該型�(hào)中的每�(gè)字母和數(shù)字都代表特定的意�,包括封裝類�、電壓等�(jí)、電流容量等�(guān)鍵參�(shù)。通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),這款芯片在高溫環(huán)境和高負(fù)載條件下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  封裝:TO-263
  Vds(漏源極擊穿電壓):40V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2mΩ
  Id(持�(xù)漏極電流):100A
  柵極電荷�30nC
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

V8R0D0402C0G500NBT具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 快速的開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功耗場(chǎng)景下?lián)碛懈玫纳崮芰Α?br>  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,適合多種工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)用需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,具體包括�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配器、充電器��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,適用于家用電器、工�(yè)�(shè)備中的無刷直流電�(jī)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電�、通信�(shè)備等�(lǐng)域�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,特別是在電�(dòng)汽車和儲(chǔ)能系�(tǒng)中作為關(guān)鍵組件�
  5. 其他需要高效功率管理的�(chǎng)�,例如LED�(qū)�(dòng)器和光伏逆變��

替代型號(hào)

V8R0D0402C0G300GBT,V8R0D0402C0G400NAT

v8r0d0402c0g500nbt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)