VB40100C-E3/4W 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬� Vishay 公司生產(chǎn)� Siliconix 系列�(chǎn)�。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),適用于低電壓應(yīng)用場(chǎng)合,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。其封裝形式� TO-252 (DPAK),能夠提供出色的散熱性能,廣泛用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等電路��
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�100A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
柵極電荷�78nC
總電容:1050pF
功耗:160W
VB40100C-E3/4W 具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠在高電流條件下有效降低功率損耗�
其邏輯電平驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)使其可以� 3.3V � 5V 的控制信�(hào)直接兼容,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
器件的快速開�(guān)速度有助于減少開�(guān)損�,提高整體效��
TO-252 封裝形式提供了良好的熱性能,確保在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性�
此外,該 MOSFET 還具備較高的雪崩能量承受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
開關(guān)電源中的功率�(jí)開關(guān)
直流電機(jī)�(qū)�(dòng)及控�
�(fù)載切換及保護(hù)電路
電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)�