VCUT05D1-SD0-G4-08 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的電子開(kāi)�(guān)器件,屬� Vishay 公司� GaN FET 系列。該型號(hào)采用 DFN 封裝,適用于高頻和高效能�(yīng)用場(chǎng)合。其�(shè)�(jì)旨在降低�(kāi)�(guān)損耗并提高功率密度,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(lǐng)��
額定電壓�650V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
柵極電荷�30nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高支持至 MHz �(jí)�
封裝類型:DFN5x6
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
VCUT05D1-SD0-G4-08 擁有出色的電氣性能和熱�(wěn)定��
1. 高效率:由于采用了先�(jìn)� GaN 技�(shù),該器件在高頻開(kāi)�(guān)條件下展�(xiàn)出較低的�(kāi)�(guān)損耗和傳導(dǎo)損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度:得益于低柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),這款 GaN FET 可實(shí)�(xiàn)超快的開(kāi)�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)用�
3. 緊湊尺寸:DFN5x6 封裝使得該器件在提供高性能的同�(shí)保持了較小的外形,有助于減少 PCB 占用面積�
4. 熱增�(qiáng):封裝底部帶有裸露焊盤,可以有效將熱量傳�(dǎo)� PCB,提升散熱能��
5. �(qiáng)魯棒性:具備高耐壓能力和良好的� ESD 性能,能夠在惡劣�(huán)境下可靠�(yùn)��
VCUT05D1-SD0-G4-08 主要用于以下�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
4. �(wú)線充電模�
5. 電動(dòng)汽車充電�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻功率轉(zhuǎn)換電�
7. LED 照明�(qū)�(dòng)電路
VCUT05D1-SD0-G4-09
VCUT05D1-SD0-G4-10
GXT06D1-SD0-G4-08