VG039NCHXTB303 是一� N 灃道晶體管(N-Channel MOSFET�,主要用于開�(guān)和功率管理應�。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特�,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)��
該型號的 MOSFET 特別適合需要高效能和低損耗的應用場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和負載開�(guān)等�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻:1.5mΩ
總柵極電荷:48nC
開關(guān)時間:典型值為 11ns(開啟)� 17ns(關(guān)閉)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
VG039NCHXTB303 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,能夠顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻電路�(shè)��
3. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,可適應惡劣的工作環(huán)境�
4. 小型化封�,便于在緊湊型設(shè)計中使用�
5. 支持大電流操�,滿足高性能應用需求�
6. 寬泛的工作溫度范�,確保器件在極端條件下的正常運行�
這款 MOSFET 主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心組��
3. 電機�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
4. 各類負載開關(guān)和保護電��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
7. 汽車電子中的電機控制和電源管理單��
IRF3710, FDP5510, AO3400