VG039NCHXTB304是一款高性能的MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特�,適用于各種高效率電源轉換應�。其設計旨在滿足現代電子設備對高效能和小型化的需��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:1.8mΩ
總柵極電荷:35nC
開關速度:超�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗�
2. 超快的開關速度,適合高頻開關應用�
3. 高雪崩能�,提高系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性�
4. 小型化的封裝設計,節(jié)省PCB空間�
5. �(yōu)異的熱性能,支持高功率密度設計�
6. 寬廣的工作溫度范圍,適應多種惡劣�(huán)境條��
1. 開關電源(SMPS�
2. 直流-直流轉換�
3. 電機驅動和控�
4. 電池保護電路
5. 照明系統(tǒng)中的電子�(zhèn)流器
6. 工業(yè)自動化和控制設備
7. 通信電源模塊
8. 汽車電子系統(tǒng)
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FDP5570
AUIRF540N