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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VG039NCHXTB502

VG039NCHXTB502 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 10:33:30 查看 閱讀�24

VG039NCHXTB502是一款基于增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)技�(shù)的N溝道功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于多種電力電子�(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,能夠提供良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��
  這款芯片廣泛用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中。它具有出色的耐熱性和可靠�,能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  總柵極電荷:45nC
  輸入電容�1200pF
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

VG039NCHXTB502的主要特性包括低�(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件還具備高開關(guān)速度,能夠有效降低開�(guān)損�。其�(jiān)固的�(shè)�(jì)確保了在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)�,并且支持快速瞬�(tài)響應(yīng)。同�(shí),內(nèi)置的ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了整體的魯棒性�
  此功率MOSFET采用了優(yōu)化的單元�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),以�(shí)�(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能。它還可以承受較高的雪崩能量,從而在異常條件下提供額外的安全裕度�

�(yīng)�

該芯片適合應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)�。具體來(lái)�(shuō),它可以作為同步整流器使用于DC-DC�(zhuǎn)換器�,或者用作高效能電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率開關(guān)。此�,在電池管理系統(tǒng)和太�(yáng)能逆變器等新能源相�(guān)�(chǎn)品中也有廣泛�(yīng)用�
  由于其強(qiáng)大的電流承載能力和快速切換能�,VG039NCHXTB502也非常適合作為負(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路中的�(guān)鍵組件�

替代型號(hào)

IRF3710
  STP36NF06
  FDP5800

vg039nchxtb502推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)