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VG039NCHXTB502 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 10:33:30 查看 閱讀：24

VG039NCHXTB502是一款基于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)的N溝道功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類型，能夠提供良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
　　這款芯片廣泛用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。它具有出色的耐熱性和可靠性，能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：30A
　　導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
　　總柵極電荷：45nC
　　輸入電容：1200pF
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃

特性

VG039NCHXTB502的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此外，該器件還具備高開關(guān)速度，能夠有效降低開關(guān)損耗。其堅(jiān)固的設(shè)計(jì)確保了在惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)行，并且支持快速瞬態(tài)響應(yīng)。同時(shí)，內(nèi)置的ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了整體的魯棒性。
　　此功率MOSFET采用了優(yōu)化的單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能。它還可以承受較高的雪崩能量，從而在異常條件下提供額外的安全裕度。

應(yīng)用

該芯片適合應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及汽車電子等領(lǐng)域。具體來(lái)說(shuō)，它可以作為同步整流器使用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中，或者用作高效能電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率開關(guān)。此外，在電池管理系統(tǒng)和太陽(yáng)能逆變器等新能源相關(guān)產(chǎn)品中也有廣泛應(yīng)用。
　　由于其強(qiáng)大的電流承載能力和快速切換能力，VG039NCHXTB502也非常適合作為負(fù)載開關(guān)或保護(hù)電路中的關(guān)鍵組件。

替代型號(hào)

IRF3710
　　STP36NF06
　　FDP5800

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