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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VHF100505HQR22JT

VHF100505HQR22JT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:12:28 查看 閱讀�18

VHF100505HQR22JT 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高效率并降低能��
  這款功率MOSFET適用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合,并以其出色的熱性能和電氣特性在�(yè)界備受好�(píng)�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�100V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�50A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ(典型值)
  總柵極電�(Qg)�75nC
  輸入電容(Ciss)�3240pF
  輸出電容(Coss)�680pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�25ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

VHF100505HQR22JT 的關(guān)鍵特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅�2.2mΩ(典型值),從而大幅降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,其總柵極電�(Qg)�75nC,確保了高效的開(kāi)�(guān)性能�
  3. 高額定漏極電� (Id) 和漏源電� (Vds),能夠在�(yán)苛條件下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 出色的熱性能,允許在高溫�(huán)境下持續(xù)工作�
  5. 提供TO-247封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì)和安��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  7. 可靠的反向恢�(fù)�(shí)� (trr) �25ns,減少開(kāi)�(guān)噪聲和能量損失�
  這些特性使 VHF100505HQR22JT 成為高頻�(yīng)用的理想選擇,尤其是在對(duì)效率和熱管理要求較高的場(chǎng)景中�

�(yīng)�

VHF100505HQR22JT 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的能量�(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),包括工�(yè)電機(jī)控制和電�(dòng)車電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)�,以�(shí)�(xiàn)更高的能源利用率�
  4. UPS(不間斷電源)系�(tǒng),保證系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  VHF100505HQR22JT 的高性能和高可靠性使其成為上述應(yīng)用的理想選擇,尤其適合需要低功耗和高效率的工作�(huán)��

替代型號(hào)

VHF100505HQR18JT, IRF1010Z, FDP5500NL

vhf100505hqr22jt推薦供應(yīng)� 更多>

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