VHF201209H1N8ST是一款高性能的功率MOSFET晶體管,采用TO-263(D-PAK)封裝形�。該器件主要適用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)注重高效能與低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供卓越的性能表現(xiàn)�
該器件具有高雪崩能力,可有效�(yīng)�(duì)電路中的瞬態(tài)電壓沖擊,同�(shí)具備較低的柵極電荷和輸出電容,從而優(yōu)化了�(kāi)�(guān)損耗并提升了整體效��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�28nC
總電容:1750pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),確保了高效的功率傳�,并減少了導(dǎo)通損耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于低柵極電荷Qg和輸出電容Coss,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 高雪崩擊穿能量(EAS)能�,增�(qiáng)了器件在異常工作條件下的可靠性�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(yán)格要求�
5. 封裝形式緊湊,節(jié)省PCB空間,同�(shí)具備良好的散熱性能�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)或續(xù)流二極管替代方案�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域的功率管理模塊�
VHF201209H1N8SL, VHF201209H1N8SJ