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VHF201209H3N9ST 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 22:06:21 查看 閱讀�11

VHF201209H3N9ST是一款高性能的MOSFET功率晶體�,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功��
  該型號屬于Vishay Siliconix系列的N溝道增強型MOSFET,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,廣泛適用于工業(yè)控制、消費電子及通信�(shè)備等�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)時間:開啟延遲時� 10ns,上升時� 8ns,關(guān)閉延遲時� 15ns,下降時� 10ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

VHF201209H3N9ST的核心優(yōu)勢在于其超低的導(dǎo)通電�,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時減少了因電阻引起的能量損耗�
  此外,這款MOSFET還具備極快的開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗,并且能夠在高頻條件下維持高效性能�
  該器件封裝形式為TO-247-3,提供了良好的散熱性能,適合功率密度要求較高的�(yīng)用場��
  其高雪崩能量能力和強魯棒性確保了在異常工作條件下的可靠運�,例如短路或過載情況�
  VHF201209H3N9ST符合RoHS�(biāo)�,環(huán)保且安全,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對綠色�(shè)計的要求�

�(yīng)�

該器件廣泛用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(qū)動的場合,包括但不限于:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 工業(yè)電機�(qū)�
  - 太陽能逆變�
  - 電動車牽引逆變�
  - 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率管理模�
  - 消費類家電中的高功率控制電路

替代型號

VHF201209H3N9S, IRF3710, FDP17N60C

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