VHF201209H5N1ST是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專(zhuān)為高�、高功率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有出色的散熱性能和電氣特性,適用于射頻功率放大器、無(wú)線能量傳輸以及其他高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)�。其工作頻率范圍廣泛,能夠滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)高性能功率器件的需��
該型�(hào)中的具體參數(shù)編碼表示:VHF代表高頻系列�201209表示�(shè)�(jì)或生�(chǎn)的日期批次,H5表示第五代技�(shù)改�(jìn),N1表示氮化鎵材料類(lèi)�,ST表示�(biāo)�(zhǔn)�(cè)試版��
�(lèi)型:功率晶體�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:100 V
最大柵源電壓:6 V
連續(xù)漏極電流�20 A
輸出功率�200 W
增益�20 dB
工作頻率范圍�1 MHz � 3 GHz
封裝形式:TO-247-4L
熱阻�0.5 �/W
VHF201209H5N1ST的核心優(yōu)�(shì)在于其采用了氮化鎵材�,這種材料相比傳統(tǒng)的硅基器件具有更高的電子遷移率和擊穿�(chǎng)�(qiáng),從而實(shí)�(xiàn)了更高效的功率轉(zhuǎn)換和更高的工作頻率。此�,該器件具備以下特點(diǎn)�
1. 高效率:在高頻條件下仍能保持較高的轉(zhuǎn)換效�,減少能量損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:得益于GaN材料的特�,開(kāi)�(guān)速度更快,適合高頻應(yīng)��
3. 小型化設(shè)�(jì):與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,體積更小,便于集成到緊湊型�(shè)備中�
4. �(wěn)定性:在高溫和高壓�(huán)境下表現(xiàn)出良好的�(wěn)定�,延�(zhǎng)了使用壽命�
5. 散熱性能�(yōu)秀:低熱阻�(shè)�(jì)確保器件能夠在高功率下持�(xù)�(yùn)��
VHF201209H5N1ST廣泛�(yīng)用于需要高效率、高頻工作的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 射頻功率放大器:用于基站、雷�(dá)等通信�(shè)��
2. �(wú)線能量傳輸:支持高效的能量傳輸系�(tǒng)�
3. �(yī)療設(shè)備:如超聲波�(shè)備中的功率驅(qū)�(dòng)部分�
4. 工業(yè)加熱�(shè)備:例如高頻感應(yīng)加熱裝置�
5. 新能源汽�(chē):用作車(chē)載充電器中的功率�(zhuǎn)換模塊�
由于其寬廣的工作頻率范圍和高功率輸出能力,這款器件幾乎可以覆蓋所有高頻功率應(yīng)用需��
VHF201209H5N2ST,VHF201209H4N1ST,VGF201208H5N1ST