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VI-JW1-IW 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/24 15:12:18 查看 閱讀：19

VI-JW1-IW是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電力電子領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
　　該器件采用了N溝道增強(qiáng)型MOSFET技術(shù)，其優(yōu)化設(shè)計(jì)使得動(dòng)態(tài)和靜態(tài)特性均表現(xiàn)優(yōu)異。此外，VI-JW1-IW還具備強(qiáng)大的雪崩能力和抗靜電能力，能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：12A
　　導(dǎo)通電阻：0.18Ω
　　柵極電荷：35nC
　　輸入電容：1200pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：90ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

特性

1. 高耐壓能力，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。
　　4. 強(qiáng)大的雪崩能量吸收能力，增強(qiáng)器件的可靠性。
　　5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，便于PCB布局和安裝。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的高頻開關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. UPS不間斷電源系統(tǒng)中的逆變電路。
　　5. 充電器、LED驅(qū)動(dòng)器等電力電子設(shè)備的核心組件。

替代型號(hào)

IRF640N
　　FDP17N65
　　STP12NM65

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vi-jw1-iw參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別電源 - 板載
  • 家庭DC DC Converters
  • 系列*
  • 類型隔離
  • 輸出數(shù)1
  • 電壓 - 輸入（最�。�18V
  • 電壓 - 輸入（最大）36V
  • Voltage - Output 112V
  • Voltage - Output 2-
  • Voltage - Output 3-
  • 電流 - 輸出（最大）*
  • 電源（瓦） - 制造商系列100W
  • 電壓 - 隔離*
  • 特點(diǎn)*
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼9 針?lè)ㄌm半磚電源模塊
  • 尺寸/尺寸2.28" L x 2.40" W x 0.50" H（57.9mm x 61.0mm x 12.7mm）
  • 包裝散裝
  • 工作溫度-40°C ~ 100°C
  • 效率*
  • 電源（瓦特）- 最大*