VI-JW1-IW是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等電力電子領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該器件采用了N溝道增強(qiáng)型MOSFET技�(shù),其�(yōu)化設(shè)�(jì)使得�(dòng)�(tài)和靜�(tài)特性均表現(xiàn)�(yōu)異。此�,VI-JW1-IW還具備強(qiáng)大的雪崩能力和抗靜電能力,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�35nC
輸入電容�1200pF
反向恢復(fù)�(shí)間:90ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
4. �(qiáng)大的雪崩能量吸收能力,增�(qiáng)器件的可靠��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和安��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的高頻開�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. UPS不間斷電源系�(tǒng)中的逆變電路�
5. 充電�、LED�(qū)�(dòng)器等電力電子�(shè)備的核心組件�
IRF640N
FDP17N65
STP12NM65