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VJ0603D120MXBAJ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 18:50:40 查看 閱讀�15

VJ0603D120MXBAJ 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件專為高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì),適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和射頻放大器等場(chǎng)�。其封裝形式為表面貼裝型,能夠有效降低寄生電�,從而提高整體性能�
  由于采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),該晶體管在�(dǎo)通時(shí)需要正向柵極電壓,并具備快速開�(guān)速度和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn)�

參數(shù)

型號(hào):VJ0603D120MXBAJ
  類型:GaN HEMT
  漏源擊穿電壓�650 V
  最大漏極電流:12 A
  �(dǎo)通電阻:120 mΩ
  柵極閾值電壓:1.8~3 V
  工作溫度范圍�-55℃~+175�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

VJ0603D120MXBAJ 具備以下顯著特性:
  1. 高效功率�(zhuǎn)換能�,支持高�(dá)98%以上的效率水��
  2. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少傳�(dǎo)損耗�
  3. 極快的開�(guān)速度,支持MHz�(jí)別的開關(guān)頻率�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能�
  5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)可靠��
  6. 小型化的封裝�(shè)�(jì),適合高密度電路板布局�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)�,具體包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
  2. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的DC-DC�(zhuǎn)換模塊�
  3. 太陽能逆變器的核心功率元件�
  4. 快速充電適配器中的高頻功率開關(guān)�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和伺服控制系�(tǒng)�
  6. 高頻射頻放大器及無線能量傳輸系統(tǒng)�

替代型號(hào)

VJ0603D100MXBAJ, VJ0603D150MXBAJ

vj0603d120mxbaj參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容12 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"�0.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-