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時(shí)間：2025/5/30 18:50:40
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VJ0603D120MXBAJ 是一種基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT）。該器件專為高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和射頻放大器等場(chǎng)景。其封裝形式為表面貼裝型，能夠有效降低寄生電感，從而提高整體性能。
由于采用增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)，該晶體管在導(dǎo)通時(shí)需要正向柵極電壓，并具備快速開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。
型號(hào)：VJ0603D120MXBAJ
類型：GaN HEMT
漏源擊穿電壓：650 V
最大漏極電流：12 A
導(dǎo)通電阻：120 mΩ
柵極閾值電壓：1.8~3 V
工作溫度范圍：-55℃~+175℃
封裝形式：TO-252 (DPAK)
VJ0603D120MXBAJ 具備以下顯著特性：
1. 高效功率轉(zhuǎn)換能力，支持高達(dá)98%以上的效率水平。
2. 超低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），減少傳導(dǎo)損耗。
3. 極快的開關(guān)速度，支持MHz級(jí)別的開關(guān)頻率。
4. 出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)可靠性。
6. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，適合高密度電路板布局。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛材料。
該芯片廣泛應(yīng)用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，具體包括：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率級(jí)開關(guān)。
2. 服務(wù)器和通信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換模塊。
3. 太陽能逆變器的核心功率元件。
4. 快速充電適配器中的高頻功率開關(guān)。
5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制系統(tǒng)。
6. 高頻射頻放大器及無線能量傳輸系統(tǒng)。
VJ0603D100MXBAJ, VJ0603D150MXBAJ
