VN610SP是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,采用小型SOT23-3封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛用于便攜式�(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)電路以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。其�(shè)�(jì)旨在提供高效的功率轉(zhuǎn)換和較小的電路板占用空間�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�1.2A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極閾值電壓:1.8V
功耗:410mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
VN610SP具有較低的導(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。同�(shí),它具備較快的開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻操作�(huán)��
此外,該器件在低電壓條件下仍能保持良好的開啟性能,非常適合電池供電的�(yīng)用場(chǎng)�。SOT23-3的小巧封裝也使其成為�(duì)空間要求較高的設(shè)�(jì)的理想選擇�
VN610SP主要�(yīng)用于各種需要高效功率開�(guān)的場(chǎng)�,例如手�(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)、鋰電池保護(hù)電路、電源管理模塊中的同步整流器,以及小型DC-DC�(zhuǎn)換器等。由于其低導(dǎo)通電阻和小尺寸特�(diǎn),這款MOSFET特別適合于追求高密度集成和低功耗的系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
VN610S, BSS138, SI2302DS