VN920DB5TR-E 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TO-263-3 (DPAK) 封裝。該器件設計用于中高電壓應用場合,具有低導通電阻和快速開關速度的特性,適用于各種電源管�、電機驅動以及負載開關場��
其耐壓高達 90V,能夠承受較高的漏源極電�,同時具備較低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:90V
連續(xù)漏電流:14A
導通電阻(Rds(on)):18mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
柵極電荷�37nC(典型值)
總電容:1340pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263-3 (DPAK)
1. 高耐壓能力,適合多種高壓應用場��
2. 極低的導通電阻,有效降低功�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開關特性,支持高頻應用�
4. 較寬的工作溫度范圍,適應惡劣�(huán)境下的使用需��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. �(wěn)定性高,可靠性強,適合長時間運行的設備�
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換部��
2. 電機驅動電路,特別是小型直流電機或步進電機控��
3. 負載開關和保護電路�
4. LED 驅動器及背光控制�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
6. 各類工業(yè)自動化控制設備中的信號切換與功率傳輸�
VN920L, IRF540N, FDP17N10Z