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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > VN920DB5TR-E

VN920DB5TR-E 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 11:18:29 查看 閱讀�35

VN920DB5TR-E 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TO-263-3 (DPAK) 封裝。該器件設計用于中高電壓應用場合,具有低導通電阻和快速開關速度的特性,適用于各種電源管�、電機驅動以及負載開關場��
  其耐壓高達 90V,能夠承受較高的漏源極電�,同時具備較低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�

參數

最大漏源電壓:90V
  連續(xù)漏電流:14A
  導通電阻(Rds(on)):18mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  柵極電荷�37nC(典型值)
  總電容:1340pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263-3 (DPAK)

特�

1. 高耐壓能力,適合多種高壓應用場��
  2. 極低的導通電阻,有效降低功�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開關特性,支持高頻應用�
  4. 較寬的工作溫度范圍,適應惡劣�(huán)境下的使用需��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  6. �(wěn)定性高,可靠性強,適合長時間運行的設備�

應用

1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換部��
  2. 電機驅動電路,特別是小型直流電機或步進電機控��
  3. 負載開關和保護電路�
  4. LED 驅動器及背光控制�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  6. 各類工業(yè)自動化控制設備中的信號切換與功率傳輸�

替代型號

VN920L, IRF540N, FDP17N10Z

vn920db5tr-e推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

vn920db5tr-e參數

  • 其它有關文件VN920DB5-E View All Specifications
  • 標準包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
  • 系列VIPower™
  • 類型高端
  • 輸入類型非反�
  • 輸出�1
  • 導通狀�(tài)電阻18 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道45A
  • 電流 - 峰值輸�-
  • 電源電壓5.5 V ~ 36 V
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼P²PAK�4 引線 + 接片�
  • 供應商設備封�P2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)