VND5160AJTR-E 是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用TO-277A封裝形式。這款功率MOSFET主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)�,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換和�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
該器件以其低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓而著�,能夠在高頻條件下保持較低的功�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開�(guān)特��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�138A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�92nC
總電容:1960pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
VND5160AJTR-E 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓允許其在較高的電壓�(huán)境下運行,增加了�(yīng)用靈活��
3. 快速開�(guān)能力使其適用于高頻電路設(shè)�,減少開�(guān)損��
4. 小巧的封裝形式使得它非常適合空間受限的應(yīng)用場��
5. 出色的熱�(wěn)定性確保了其在高溫�(huán)境下的可靠性�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
3. 電動汽車和混合動力汽車中的電機驅(qū)動電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開�(guān)和保護電��
5. 大功率LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動電路�
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
VND5160AJTR-G, IRFB4110TRPBF, FDP5160