VND5E050K是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其出色的電氣特性和熱性能使其在功率電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)��
該器件能夠在高達(dá)500V的漏源極電壓下穩(wěn)定工�,并具備良好的雪崩能力和低反向恢�(fù)電荷特�,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和效率�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�1.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�600mΩ
柵極閾值電壓:3V~5V
功耗:8W
�(jié)溫范圍:-55℃~150�
VND5E050K具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,支持高�(dá)500V的工作環(huán)�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),能夠有效減少導(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,優(yōu)化了�(kāi)�(guān)�(shí)間和柵極電荷,減少了�(kāi)�(guān)損��
4. 采用小型化的TO-252封裝,便于PCB布局和散熱管��
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的可靠性與抗干擾能力�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,滿(mǎn)足國(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�
VND5E050K廣泛�(yīng)用于各類(lèi)電力電子�(shè)備中,具體包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)�(shè)�(jì)中的初級(jí)�(cè)�(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓拓?fù)涞年P(guān)鍵組��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. �(fù)載切換和保護(hù)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
5. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景,如逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)��
VN0E50K, IRF540, FQA14P50