VND5T035AKTR-E 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于功率轉換和開關應用。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關速度和良好的熱性能等特�,適用于多種工業(yè)和消費類電子設備�
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝技術(SMT�,能夠有效降低系�(tǒng)成本并提高可靠��
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�35A
導通電阻(典型值)�4.8mΩ
柵極電荷�107nC
開關時間:典型開啟時� 19ns,典型關閉時� 27ns
工作結溫范圍�-55°C � +175°C
VND5T035AKTR-E 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流應用中減少功耗和熱量�(chǎn)��
2. 高額定電流能力,支持高達 35A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速的開關性能,確保在高頻應用中具備高效的能量轉換�
4. 良好的熱�(wěn)定�,使其在高溫�(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的工作狀�(tài)�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 表面貼裝封裝形式,便于自動化生產(chǎn)和提高裝配效率�
VND5T035AKTR-E 廣泛應用于各種需要高效功率轉換和開關的場�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. 直流-直流轉換�
3. 電機驅動電路
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)逆變�
6. LED 照明驅動
7. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
VND5T035AKTR-G, IRF3205, FDP5500