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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VND5T050AKTR-E

VND5T050AKTR-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:11:24 查看 閱讀�24

VND5T050AKTR-E 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-263-3封裝形式。該器件適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等。其低導(dǎo)通電阻特性可以有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�17A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.8mΩ
  柵極電荷�45nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=25ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

VND5T050AKTR-E 具有較低的導(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),該器件具備快速的�(kāi)�(guān)速度,從而減少了�(kāi)�(guān)損�。此外,它的高雪崩擊穿能力和高可靠性設(shè)�(jì)使其非常適合于要求嚴(yán)格的工作�(huán)�。另�,由于采用了�(wú)鉛封裝工藝,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),因此也適合�(huán)保需求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
  具體特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損耗�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操��
  3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒性�
  4. TO-263-3封裝,便于安裝和散熱管理�
  5. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��

�(yīng)�

這款MOSFET主要�(yīng)用于需要高效能功率切換的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)元件�
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)用于�(dòng)�(tài)分配電流路徑�
  4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)�(kāi)�(guān)�
  6. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率控制單元�
  VND5T050AKTR-E 憑借其�(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定�,在上述�(yīng)用中能夠提供更高的效率和更長(zhǎng)的使用壽命�

替代型號(hào)

VND5T050AETR-E, IRF540N, FDP057AN

vnd5t050aktr-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

vnd5t050aktr-e參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - �(nèi)部開(kāi)�(guān)
  • 系列VIPower™
  • 類型高端
  • 輸入類型非反�
  • 輸出�(shù)2
  • �(dǎo)通狀�(tài)電阻50 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道24A
  • 電流 - 峰值輸�34A
  • 電源電壓8 V ~ 36 V
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼24-BSOP�0.295"�7.50mm 寬)裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerSSO-24
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱497-13071-6