VND5T050AKTR-E 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-263-3封裝形式。該器件適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等。其低導(dǎo)通電阻特性可以有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�17A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.8mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=25ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
VND5T050AKTR-E 具有較低的導(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),該器件具備快速的�(kāi)�(guān)速度,從而減少了�(kāi)�(guān)損�。此外,它的高雪崩擊穿能力和高可靠性設(shè)�(jì)使其非常適合于要求嚴(yán)格的工作�(huán)�。另�,由于采用了�(wú)鉛封裝工藝,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),因此也適合�(huán)保需求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
具體特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操��
3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒性�
4. TO-263-3封裝,便于安裝和散熱管理�
5. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
這款MOSFET主要�(yīng)用于需要高效能功率切換的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)元件�
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)用于�(dòng)�(tài)分配電流路徑�
4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)�(kāi)�(guān)�
6. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率控制單元�
VND5T050AKTR-E 憑借其�(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定�,在上述�(yīng)用中能夠提供更高的效率和更長(zhǎng)的使用壽命�
VND5T050AETR-E, IRF540N, FDP057AN