時間：2025/4/28 21:09:11
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VND5T100LAJTR-E 是一款N溝道增強型MOSFET，采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場合。
這種MOSFET主要用于電源管理電路中，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器以及負載開關(guān)等場景。其出色的電氣特性使得它在效率和散熱方面表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：5.6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：0.04Ω
柵極電荷：7nC
輸入電容：1150pF
總功耗：38W
工作溫度范圍：-55℃ to 150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳輸，降低了發(fā)熱損失。
2. 快速開關(guān)能力減少了開關(guān)損耗，適合高頻操作環(huán)境。
3. 高雪崩能量耐受能力增強了器件的魯棒性，使其能夠在惡劣條件下穩(wěn)定運行。
4. 小巧的TO-263-3封裝便于安裝，并提供優(yōu)秀的散熱路徑。
5. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)各種工業(yè)和汽車級應(yīng)用需求。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保設(shè)計滿足全球市場準入要求。
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載控制開關(guān)。
4. 電池保護電路中的過流保護開關(guān)。
5. 各類電機驅(qū)動電路中的功率輸出級。
6. 充電器和適配器中的功率調(diào)節(jié)單元。
VND5T100LAE-E, VND5T100LAHTR-E
