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VND5T100LAJTR-E 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 21:09:11 查看 閱讀:39

VND5T100LAJTR-E 是一款N溝道增強型MOSFET,采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場合。
  這種MOSFET主要用于電源管理電路中,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器以及負載開關(guān)等場景。其出色的電氣特性使得它在效率和散熱方面表現(xiàn)出色。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:5.6A
  導(dǎo)通電阻(典型值):0.04Ω
  柵極電荷:7nC
  輸入電容:1150pF
  總功耗:38W
  工作溫度范圍:-55℃ to 150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳輸,降低了發(fā)熱損失。
  2. 快速開關(guān)能力減少了開關(guān)損耗,適合高頻操作環(huán)境。
  3. 高雪崩能量耐受能力增強了器件的魯棒性,使其能夠在惡劣條件下穩(wěn)定運行。
  4. 小巧的TO-263-3封裝便于安裝,并提供優(yōu)秀的散熱路徑。
  5. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)各種工業(yè)和汽車級應(yīng)用需求。
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保設(shè)計滿足全球市場準入要求。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流功能。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載控制開關(guān)。
  4. 電池保護電路中的過流保護開關(guān)。
  5. 各類電機驅(qū)動電路中的功率輸出級。
  6. 充電器和適配器中的功率調(diào)節(jié)單元。

替代型號

VND5T100LAE-E, VND5T100LAHTR-E

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

vnd5t100lajtr-e參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥32.04000剪切帶(CT)2,500 : ¥17.12409卷帶(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, VIPOWER?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 開關(guān)類型通用
  • 輸出數(shù)2
  • 比率 - 輸入:輸出1:1
  • 輸出配置高端
  • 輸出類型N 通道
  • 接口開/關(guān)
  • 電壓 - 負載8V ~ 36V
  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)不需要
  • 電流 - 輸出(最大值)16A
  • 導(dǎo)通電阻(典型值)100 毫歐
  • 輸入類型非反相
  • 特性-
  • 故障保護限流(固定),開路負載檢測,超溫
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerSSO-12
  • 封裝/外殼12-LSOP(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤