VND7050AJTR是由意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道MOSFET功率晶體�。該器件采用PowerFLAT 5x6封裝形式,適用于需要高效率、低功耗和小型化設計的應用場景。其出色的導通電阻和快速開關性能使其成為電源管理、負載切換以及電機驅動等應用的理想選擇�
VND7050AJTR的主要特點是具有極低的導通電阻Rds(on),從而減少了傳導損耗并提高了整體系�(tǒng)效率。此外,該器件還具備較高的雪崩擊穿電壓能�,增強了在惡劣工作條件下的可靠��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻Rds(on)�1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷Qg�38nC(典型值)
總功耗:1.8W
結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式:PowerFLAT 5x6
1. 極低的導通電阻Rds(on),有助于降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩擊穿電壓能�,增強器件在異常情況下的耐用性�
3. 快速開關性能,減少開關損耗�
4. 小型化的PowerFLAT 5x6封裝,節(jié)省電路板空間�
5. 廣泛的工作溫度范�,適應多種環(huán)境條��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
VND7050AJTR憑借這些特�,非常適合用于對效率和尺寸要求較高的應用場合�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換控制�
3. 電機驅動電路中的功率級開關�
4. DC-DC轉換器中的主開關或續(xù)流二極管替代�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
6. 消費類電子產品中的電源管理單��
VND7050AJTR由于其優(yōu)異的性能和緊湊的封裝,成為眾多高效能電子系統(tǒng)中的關鍵元件�
VNQ0190, VND7040ALTR