VND7NV04TR-E 是一款高性能、低�(dǎo)通電阻的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它適用于各種開�(guān)和功率管理應(yīng)用,其優(yōu)化設(shè)�(jì)使得該器件能夠在高頻和高效率�(chǎng)景中表現(xiàn)出色。VND7NV04TR-E 的封裝形式為 TO-263 (D2PAK),這使其具備良好的散熱性能,并且易于集成到印刷電路板中�
VND7NV04TR-E 在消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)用,特別是在需要低�(dǎo)通損耗和快速開�(guān)速度的場(chǎng)��
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�18A
脈沖漏極電流(Ip)�54A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷(Qg)�49nC
總電�(Ciss)�3220pF
開關(guān)�(shí)間:ton=22ns, toff=19ns
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
VND7NV04TR-E 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以有效降低傳�(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 較高的漏極電流承載能力,能夠支持大電流負(fù)��
4. 邏輯電平�(qū)�(dòng)兼容�,簡(jiǎn)化了與微控制器或�(shù)字信�(hào)處理器的接口�(shè)�(jì)�
5. 高可靠性和耐用�,適合惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封��
VND7NV04TR-E 被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開�(guān)�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
5. UPS 系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)中的保護(hù)和切換功��
6. 大功� LED �(qū)�(dòng)和照明控��
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景�
VND7N04T-E, IRF7744Z, FDN337N