VND7NV04TR-E 是一款高性能、低導(dǎo)通電阻的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它適用于各種開關(guān)和功率管理應(yīng)用,其優(yōu)化設(shè)計(jì)使得該器件能夠在高頻和高效率場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。VND7NV04TR-E 的封裝形式為 TO-263 (D2PAK),這使其具備良好的散熱性能,并且易于集成到印刷電路板中。
VND7NV04TR-E 在消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及汽車電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,特別是在需要低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)速度的場(chǎng)合。
最大漏源電壓(Vds):40V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):18A
脈沖漏極電流(Ip):54A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 時(shí))
柵極電荷(Qg):49nC
總電容(Ciss):3220pF
開關(guān)時(shí)間:ton=22ns, toff=19ns
工作結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +175°C
VND7NV04TR-E 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可以有效降低傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 較高的漏極電流承載能力,能夠支持大電流負(fù)載。
4. 邏輯電平驅(qū)動(dòng)兼容性,簡(jiǎn)化了與微控制器或數(shù)字信號(hào)處理器的接口設(shè)計(jì)。
5. 高可靠性和耐用性,適合惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛封裝。
VND7NV04TR-E 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器控制。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開關(guān)。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
5. UPS 系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和切換功能。
6. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)和照明控制。
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
VND7N04T-E, IRF7744Z, FDN337N