VND830是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用TO-220封裝形式,具備高電流承載能力和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下提供高效的性能表現(xiàn)�
該晶體管的設(shè)�(jì)使其能夠承受較高的漏源電�,并且具有較低的柵極電荷需求,這有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
最大漏源電�(Vds)�80V
最大漏極電�(Id)�30A
最大功�(Pd)�140W
柵源�(kāi)啟電�(Vgs(th))�2.1V~4.0V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.018Ω(在Vgs=10V�(shí)�
工作溫度范圍(Tj)�-55℃~150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升能效�
2. 高電流處理能�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)合�
3. 較低的柵極電�(Qg),減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失�
4. 提供快速的�(kāi)�(guān)速度,適合高頻電路設(shè)�(jì)�
5. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)正常�(yùn)��
6. TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝形式,便于安裝與散熱管理�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路,包括直流無(wú)刷電�(jī)和步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路,例如電池管理系�(tǒng)(BMS)�
4. LED�(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵功率級(jí)組件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
IRF840, STP30NF10, FDN367N