VND830EH是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-252封裝形式,廣泛應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低導通電阻的電路�(shè)計中。其主要特點包括高擊穿電�、低導通電阻以及出色的開關(guān)性能,適用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開�(guān)等多種應(yīng)用場��
這款MOSFET適合在中小功率場景下使用,能夠提供較高的電流承載能力和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻:120mΩ
柵極電荷�7nC
開關(guān)時間:典型值ton=18ns,toff=13ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
VND830EH具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓為40V,確保在各種電路�(huán)境下具備良好的可靠��
2. 低導通電阻:僅為120mΩ,可減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)速度:由于較低的柵極電荷和短開關(guān)時間,適用于高頻�(yīng)��
4. 小型封裝:TO-252封裝使其適合空間受限的設(shè)計方案�
5. 寬溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的工作�(huán)境,適應(yīng)性強�
6. �(wěn)定性強:經(jīng)過嚴格篩選和測試,保證長期使用的�(wěn)定��
VND830EH適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng),例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器或功率級開關(guān)�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于電池保護和充放電控��
3. 電機�(qū)動電路,特別是在小型直流電機控制方面�
4. 負載開關(guān)和保護電路,用以實現(xiàn)快速開�/�(guān)閉功��
5. LED�(qū)動器和背光控制,提供高效的電流調(diào)節(jié)�
6. 各類消費電子�(chǎn)品中的電源管理和信號切換�
VNQ100ENH, FDN337N