VNN7NV04 是一款基于硅技�(shù)�(shè)�(jì)� N 沒有通道功率 MOSFET,主要應(yīng)用于低電壓和高效能要求的�(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的封裝工藝以確保出色的熱性能和電氣性能�
其主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的抗靜電能力。這些特性使� VNN7NV04 成為便攜式設(shè)�、計(jì)算機(jī)外設(shè)及工�(yè)控制等應(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�16nC
輸入電容�1950pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
VNN7NV04 的核心優(yōu)�(shì)在于它的低導(dǎo)通電阻和高效率表�(xiàn)。該器件能夠在高頻條件下提供高效的切�,并且具備較低的開關(guān)損耗。此�,它還具有優(yōu)秀的熱�(wěn)定性和耐用�,能夠承受嚴(yán)苛的工作�(huán)�。其緊湊型封裝形式也使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)需求�
VNN7NV04 的低�(dǎo)通電阻有助于減少功�,從而提高整體系�(tǒng)效能。同�(shí),由于其具備較高的抗靜電能力(ESD),因此在實(shí)際使用中更加可靠�
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該器件憑借其低導(dǎo)通電阻和高效率特�,在上述�(lǐng)域均表現(xiàn)出色�
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