VNP10N06是采用意法半�(dǎo)體VIPower技�(shù)制造的單片器件,旨在取代直流至50 KHz�(yīng)用中的標(biāo)�(zhǔn)功率MOSFET。內(nèi)置熱�(guān)斷、線性電流限制和過電壓鉗保護(hù)芯片的惡劣環(huán)��
線性電流限�
熱關(guān)�
短路保護(hù)
集成夾具
從輸入引腳汲取的低電�
邏輯電平輸入閾�
ESD保護(hù)
輸入�(shí)施密特觸�(fā)�
高抗噪�
�(biāo)�(zhǔn)-220包裝
輸出接口�(shù)�
輸出電流�15 A
供電電流�0.15 mA
針腳�(shù)�
漏源極電阻:300 mΩ
極性:N-Channel
耗散功率�42000 mW
漏源擊穿電壓�60.0 V
柵源擊穿電壓:�20.0 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�10.0 A
輸出電流(Max)�6 A
輸出電流(Min)�6 A
輸入�(shù)�
耗散功率(Max)�42000 mW
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220-3
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube