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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > VNP10N06-E

VNP10N06-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/16 13:53:16 查看 閱讀�361

VNP10N06是采用意法半�(dǎo)體VIPower技�(shù)制造的單片器件,旨在取代直流至50 KHz�(yīng)用中的標(biāo)�(zhǔn)功率MOSFET。內(nèi)置熱�(guān)斷、線性電流限制和過電壓鉗保護(hù)芯片的惡劣環(huán)��

特性說�

線性電流限�
  熱關(guān)�
  短路保護(hù)
  集成夾具
  從輸入引腳汲取的低電�
  邏輯電平輸入閾�
  ESD保護(hù)
  輸入�(shí)施密特觸�(fā)�
  高抗噪�
  �(biāo)�(zhǔn)-220包裝

技�(shù)參數(shù)

輸出接口�(shù)�
  輸出電流�15 A
  供電電流�0.15 mA
  針腳�(shù)�
  漏源極電阻:300 mΩ
  極性:N-Channel
  耗散功率�42000 mW
  漏源擊穿電壓�60.0 V
  柵源擊穿電壓:�20.0 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�10.0 A
  輸出電流(Max)�6 A
  輸出電流(Min)�6 A
  輸入�(shù)�
  耗散功率(Max)�42000 mW

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

其他說明

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube

vnp10n06-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

vnp10n06-e參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件VNP10N06 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - �(nèi)部開�(guān)
  • 系列OMNIFET™
  • 類型低端
  • 輸入類型非反�
  • 輸出�(shù)1
  • �(dǎo)通狀�(tài)電阻150 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道-
  • 電流 - 峰值輸�10A
  • 電源電壓-
  • 工作溫度-
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件