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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VNS1NV04DPTR-E

VNS1NV04DPTR-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 13:24:59 查看 閱讀�23

VNS1NV04DPTR-E 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,屬� Vishay 公司的半�(dǎo)體產(chǎn)品系列。該器件采用小型化封裝設(shè)�(jì),適用于各種高效能功率管理應(yīng)�。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用作開�(guān)或負(fù)載驅(qū)�(dòng)元件�

參數(shù)

型號(hào):VNS1NV04DPTR-E
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):40V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�150mΩ(在 VGS=10V �(shí)�
  ID(連續(xù)漏極電流):2.6A
  VGS(柵源電壓):�20V
  Qg(柵極電荷)�7nC
  fT(截止頻率)�125MHz
  功耗:0.8W
  封裝形式:DPAK(TO-263�

特�

VNS1NV04DPTR-E 的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),從而降低了功率損耗并提高了效��
  2. 快速的開關(guān)性能,使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  3. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件在異常工作條件下的魯棒��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,保證了�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  這些特點(diǎn)使該器件成為眾多功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇,如 DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(shè)備中的功率管理模塊等�

�(yīng)�

VNS1NV04DPTR-E 廣泛�(yīng)用于多種電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源� DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  2. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保�(hù)鋰離子電池組免受過充或過放的影響�
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中作為開�(guān)元件�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)裝置�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳��
  6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單��

替代型號(hào)

VNP2040DN-E, IRF540N

vns1nv04dptr-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

vns1nv04dptr-e參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件VNS1NV04DP-E View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - �(nèi)部開�(guān)
  • 系列OMNIFET II™, VIPower™
  • 類型低端
  • 輸入類型非反�
  • 輸出�(shù)2
  • �(dǎo)通狀�(tài)電阻250 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道1.7A
  • 電流 - 峰值輸�3.5A
  • 電源電壓-
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SO-8
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱497-11722-6