VNS1NV04DPTR-E 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,屬� Vishay 公司的半�(dǎo)體產(chǎn)品系列。該器件采用小型化封裝設(shè)�(jì),適用于各種高效能功率管理應(yīng)�。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用作開�(guān)或負(fù)載驅(qū)�(dòng)元件�
型號(hào):VNS1NV04DPTR-E
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):40V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�150mΩ(在 VGS=10V �(shí)�
ID(連續(xù)漏極電流):2.6A
VGS(柵源電壓):�20V
Qg(柵極電荷)�7nC
fT(截止頻率)�125MHz
功耗:0.8W
封裝形式:DPAK(TO-263�
VNS1NV04DPTR-E 的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),從而降低了功率損耗并提高了效��
2. 快速的開關(guān)性能,使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件在異常工作條件下的魯棒��
4. 良好的熱�(wěn)定�,保證了�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
這些特點(diǎn)使該器件成為眾多功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇,如 DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(shè)備中的功率管理模塊等�
VNS1NV04DPTR-E 廣泛�(yīng)用于多種電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源� DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保�(hù)鋰離子電池組免受過充或過放的影響�
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中作為開�(guān)元件�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)裝置�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳��
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單��
VNP2040DN-E, IRF540N