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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VQ1000P

VQ1000P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 19:04:53 查看 閱讀�7

VQ1000P是一種高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,能夠提供高效�、低損耗的�(kāi)�(guān)性能,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�。VQ1000P適合在需要高電流、高電壓處理能力的場(chǎng)景下使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:1000V
  連續(xù)漏極電流�4.5A
  柵極-源極電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:650mΩ
  �(kāi)�(guān)頻率�100kHz
  功耗:3W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

VQ1000P具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:額定電壓高�(dá)1000V,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為650mΩ,有助于降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:支持最�100kHz的開(kāi)�(guān)頻率,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定性:能夠在極端溫度條件下可靠�(yùn)�,工作溫度范圍寬�(dá)-55℃至+175��
  5. 緊湊封裝:通常采用TO-220或DPAK封裝,便于散熱設(shè)�(jì)和PCB布局�
  6. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的電氣和環(huán)境測(cè)�,確保長(zhǎng)期使用的�(wěn)定��

�(yīng)�

VQ1000P適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 逆變�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 太陽(yáng)能微逆變�
  7. 高壓�(fù)載開(kāi)�(guān)
  8. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的充放電管�
  VQ1000P憑借其高耐壓和高效性能,成為上述應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

VQ100N06,
  VQ100N08,
  IRFP260N,
  STP10NK50Z

vq1000p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

vq1000p資料 更多>

  • 型號(hào)
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vq1000p參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流0.225 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)5.5 Ohms
  • 配置Quad
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-226AA-14
  • 封裝Tube
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.3 W
  • 工廠包裝�(shù)�25