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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VS-42CTQ030PBF

VS-42CTQ030PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:25:52 查看 閱讀�27

VS-42CTQ030PBF 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采� TO-252 封裝形式。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以� DC/DC �(zhuǎn)換器等電路中,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換和較低的導(dǎo)通電阻。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高耐壓能力,非常適合在大電流應(yīng)用場(chǎng)合使用�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,具有快速開�(guān)特性和良好的熱�(wěn)定性,適用于多種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  總功耗:12W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝形式:TO-252

特�

VS-42CTQ030PBF 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 1.8mΩ,從而降低了功率損耗并提高了效��
  2. 高額定電流能力(30A 連續(xù)漏極電流�,使其能夠在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
  3. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗,并提升高頻應(yīng)用中的性能�
  4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,允許芯片在較寬的工作溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)綠色�(shè)�(jì)的要��

�(yīng)�

該芯片的�(yīng)用領(lǐng)域非常廣�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),用于實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換�
  2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng),用于控制和�(diào)節(jié)電機(jī)的速度與方向�
  3. �(fù)載切換電�,確保系�(tǒng)在不同負(fù)載條件下的穩(wěn)定��
  4. DC/DC �(zhuǎn)換器,用于便攜式�(shè)備和其他需要高效電壓調(diào)節(jié)的應(yīng)��
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP178N10SBD, STP30NF06L

vs-42ctq030pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

vs-42ctq030pbf資料 更多>

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vs-42ctq030pbf�(chǎn)�

vs-42ctq030pbf參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�肖特基(二極管與整流器)
  • �(chǎn)�Schottky Rectifiers
  • 峰值反向電�30 V
  • 正向連續(xù)電流40 A
  • 最大浪涌電�1100 A
  • 配置Dual Common Cathode
  • 正向電壓下降0.57 V at 40 A
  • 最大反向漏泄電�3000 uA
  • 工作溫度范圍- 55 C to + 150 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-220AB
  • 封裝Tube