時(shí)間：2025/6/5 17:28:13
閱讀：14
VS-HFA25PB60PBF是一款高壓MOSFET芯片，專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具備較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的功率轉(zhuǎn)換。
該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，適合需要高效能和低損耗的場景。其封裝形式經(jīng)過優(yōu)化，便于散熱和安裝，非常適合要求緊湊設(shè)計(jì)的電力電子系統(tǒng)。
類型：MOSFET
極性：N溝道
漏源電壓(Vds)：600V
連續(xù)漏極電流(Id)：25A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：180mΩ（典型值）
柵極電荷(Qg)：45nC
輸入電容(Ciss)：3200pF
總功耗(Ptot)：250W
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
封裝：TO-247
VS-HFA25PB60PBF的主要特性包括：
1. 高耐壓能力，額定漏源電壓高達(dá)600V，適用于各種高壓應(yīng)用場景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，僅有180mΩ（典型值），可顯著降低導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能，柵極電荷僅為45nC，支持高頻工作條件。
4. 高可靠性設(shè)計(jì)，能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，工作溫度范圍從-55℃到+150℃。
5. 采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，易于集成到現(xiàn)有的電路板設(shè)計(jì)中，并提供良好的散熱性能。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)，例如用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和其他電子設(shè)備的電源模塊。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，尤其是在工業(yè)控制和通信設(shè)備中使用的高效轉(zhuǎn)換器。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，特別是那些需要高電壓和大電流的無刷直流電機(jī)(BLDC)控制系統(tǒng)。
4. 太陽能逆變器中的功率級，幫助提高能源轉(zhuǎn)換效率。
5. 各種需要高性能功率管理的場合，如不間斷電源(UPS)和電池充電器等。
VS-HFA25PB60PD, IRFP460, STP25NF60Z
