VS-HFA25PB60PBF是一款高壓MOSFET芯片,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,從而能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的功率轉(zhuǎn)換。
該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,適合需要高效能和低損耗的場景。其封裝形式經(jīng)過優(yōu)化,便于散熱和安裝,非常適合要求緊湊設(shè)計(jì)的電力電子系統(tǒng)。
類型:MOSFET
極性:N溝道
漏源電壓(Vds):600V
連續(xù)漏極電流(Id):25A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):180mΩ(典型值)
柵極電荷(Qg):45nC
輸入電容(Ciss):3200pF
總功耗(Ptot):250W
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
封裝:TO-247
VS-HFA25PB60PBF的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓高達(dá)600V,適用于各種高壓應(yīng)用場景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅有180mΩ(典型值),可顯著降低導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能,柵極電荷僅為45nC,支持高頻工作條件。
4. 高可靠性設(shè)計(jì),能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,工作溫度范圍從-55℃到+150℃。
5. 采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝,易于集成到現(xiàn)有的電路板設(shè)計(jì)中,并提供良好的散熱性能。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),例如用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和其他電子設(shè)備的電源模塊。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,尤其是在工業(yè)控制和通信設(shè)備中使用的高效轉(zhuǎn)換器。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,特別是那些需要高電壓和大電流的無刷直流電機(jī)(BLDC)控制系統(tǒng)。
4. 太陽能逆變器中的功率級,幫助提高能源轉(zhuǎn)換效率。
5. 各種需要高性能功率管理的場合,如不間斷電源(UPS)和電池充電器等。
VS-HFA25PB60PD, IRFP460, STP25NF60Z