VTM48EF060M040A00是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,從而優(yōu)化了系統(tǒng)性能并降低了能��
這種功率MOSFET廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景,其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
型號(hào):VTM48EF060M040A00
�(lèi)型:N溝道MOSFET
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極耐壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4mΩ(典型��10V柵極�(qū)�(dòng)下)
Id(連續(xù)漏極電流):40A
Qg(柵極電荷)�55nC
fT(特征頻率)�3.9MHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
該款MOSFET具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在高電流條件下有效減少功耗,提升效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,得益于較低的柵極電荷Qg和較高的特征頻率fT,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 具備�(qiáng)大的熱管理性能,即使在高功率運(yùn)行時(shí)也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
4. 良好的短路耐受能力,有助于提高系統(tǒng)的可靠性和安全性�
5. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境下的使用需求�
VTM48EF060M040A00適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)�(chē)充電系統(tǒng)�
5. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電路設(shè)�(jì)�
這些�(yīng)用場(chǎng)景均能從該器件的高效�(kāi)�(guān)特性和低損耗優(yōu)�(shì)中受��
IRF3710, FDP5500, STP40NF06