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W25X20BVSNIG 發(fā)布時間 時間:2025/5/9 15:46:56 查看 閱讀:24

W25X20BVSNIG 是一款由 Winbond(華邦電子)推出的高性能、低功耗 SPI Flash 存儲器。該芯片采用串行外設(shè)接口(SPI),具有快速讀取性能和高可靠性,適用于各種嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。其容量為 264KB (2Mb),支持標(biāo)準(zhǔn) SPI、雙 I/O SPI 和四 I/O SPI 模式,可滿足不同應(yīng)用對數(shù)據(jù)傳輸速率的需求。
  該芯片的工作電壓范圍為 2.7V 至 3.6V,并具備深度掉電模式以降低功耗。此外,它還支持多種保護(hù)機(jī)制,包括軟件寫保護(hù)和硬件寫保護(hù),確保數(shù)據(jù)的安全性。

參數(shù)

容量:2Mb (264KB)
  接口類型:SPI
  工作電壓:2.7V 至 3.6V
  工作電流:最大 3mA(典型值)
  待機(jī)電流:小于 1μA
  時鐘頻率:最高 104MHz (在四線模式下)
  封裝形式:SOP8, SOIT8
  溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  擦除/編程時間:典型值 2ms/頁

特性

W25X20BVSNIG 提供了多種先進(jìn)的功能特性,使其非常適合于現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)的存儲需求。
  1. 支持標(biāo)準(zhǔn) SPI、雙 I/O 和四 I/O 模式,能夠顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度。
  2. 具備靈活的扇區(qū)劃分結(jié)構(gòu),允許用戶進(jìn)行更細(xì)粒度的數(shù)據(jù)管理。
  3. 內(nèi)置寫保護(hù)功能,可通過軟件或硬件實(shí)現(xiàn)對存儲區(qū)域的保護(hù)。
  4. 深度掉電模式可以極大降低功耗,適合電池供電的應(yīng)用場景。
  5. 高可靠性設(shè)計(jì),能夠在惡劣環(huán)境下長時間穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 快速擦除和編程能力,減少了系統(tǒng)等待時間。

應(yīng)用

W25X20BVSNIG 廣泛應(yīng)用于需要小容量非易失性存儲的場合,例如:
  1. 工業(yè)控制設(shè)備中的固件存儲。
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的配置數(shù)據(jù)保存。
  3. 醫(yī)療設(shè)備中關(guān)鍵參數(shù)的備份。
  4. 物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點(diǎn)的代碼存儲。
  5. 家用電器中的引導(dǎo)程序加載。
  由于其低功耗特性和高可靠性,該芯片特別適合便攜式設(shè)備和遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)。

替代型號

W25X20CLSNIG, W25Q20BVSSIG

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

w25x20bvsnig參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝100
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲器
  • 系列SpiFlash®
  • 格式 - 存儲器閃存
  • 存儲器類型FLASH
  • 存儲容量2M (256K x 8)
  • 速度104MHz
  • 接口SPI 串行
  • 電源電壓2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOIC
  • 包裝管件