W25X20BVSNIG 是一款由 Winbond(華邦電子)推出的高性能、低功耗 SPI Flash 存儲器。該芯片采用串行外設(shè)接口(SPI),具有快速讀取性能和高可靠性,適用于各種嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。其容量為 264KB (2Mb),支持標(biāo)準(zhǔn) SPI、雙 I/O SPI 和四 I/O SPI 模式,可滿足不同應(yīng)用對數(shù)據(jù)傳輸速率的需求。
該芯片的工作電壓范圍為 2.7V 至 3.6V,并具備深度掉電模式以降低功耗。此外,它還支持多種保護(hù)機(jī)制,包括軟件寫保護(hù)和硬件寫保護(hù),確保數(shù)據(jù)的安全性。
容量:2Mb (264KB)
接口類型:SPI
工作電壓:2.7V 至 3.6V
工作電流:最大 3mA(典型值)
待機(jī)電流:小于 1μA
時鐘頻率:最高 104MHz (在四線模式下)
封裝形式:SOP8, SOIT8
溫度范圍:-40°C 至 +85°C
擦除/編程時間:典型值 2ms/頁
W25X20BVSNIG 提供了多種先進(jìn)的功能特性,使其非常適合于現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)的存儲需求。
1. 支持標(biāo)準(zhǔn) SPI、雙 I/O 和四 I/O 模式,能夠顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度。
2. 具備靈活的扇區(qū)劃分結(jié)構(gòu),允許用戶進(jìn)行更細(xì)粒度的數(shù)據(jù)管理。
3. 內(nèi)置寫保護(hù)功能,可通過軟件或硬件實(shí)現(xiàn)對存儲區(qū)域的保護(hù)。
4. 深度掉電模式可以極大降低功耗,適合電池供電的應(yīng)用場景。
5. 高可靠性設(shè)計(jì),能夠在惡劣環(huán)境下長時間穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 快速擦除和編程能力,減少了系統(tǒng)等待時間。
W25X20BVSNIG 廣泛應(yīng)用于需要小容量非易失性存儲的場合,例如:
1. 工業(yè)控制設(shè)備中的固件存儲。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的配置數(shù)據(jù)保存。
3. 醫(yī)療設(shè)備中關(guān)鍵參數(shù)的備份。
4. 物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點(diǎn)的代碼存儲。
5. 家用電器中的引導(dǎo)程序加載。
由于其低功耗特性和高可靠性,該芯片特別適合便攜式設(shè)備和遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)。
W25X20CLSNIG, W25Q20BVSSIG