WC0001812T(YJK-204-3899-T250)是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)電源等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),從而實(shí)�(xiàn)更高的效率和更低的功�。其封裝形式為TO-252,具有良好的散熱性能和電氣特��
型號(hào):WC0001812T
封裝:TO-252
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�18A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
功�(Ptot)�22W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
WC0001812T是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,其主要特性包括:
1. 高效的開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),可有效降低�(dǎo)通損��
3. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能可靠�(yùn)行�
4. 具備快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損��
5. �(nèi)置反向二極管�(shè)�(jì),適合同步整流及�(xù)流電路的�(yīng)用�
6. 封裝形式緊湊,便于安裝和散熱管理�
該芯片適用于多種電力電子�(shè)備中,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
由于其高效性和可靠�,WC0001812T特別適合�(duì)能效和散熱要求較高的�(chǎng)��
IRFZ44N
FDP17N10
STP18NF06L